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电源芯片GD25Q80 8M 串行FLASH 200MIL 原装正品
产品标签 | GD25Q80 电源芯片 电源模块
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集成电路IC GD25Q80 8M 串行FLASH 200MIL 原装正品
Rθjl5370wmaximum结到引线C稳态°C / W热characteristicsparameter unitsmaximum结到环境在≤10srθJA°C/wmaximum结到环境的稳定状态的C / W°±12gate voltagedrain 20continuous源源电压漏电流= 25 = 70 CTA unitsparameterta°°cabsolute额定值TA = 25°C除非另有notedvv5.525pulsed漏电流功耗TA = 25 B°cjunction和储存温度作用距离PD°C 1.50.96-55 150 Ta = 70 C id7ao8820°共漏双N沟道增强型场效应晶体管特性VDS(V)= 20V的ID = 7A(VGS = 10V)RDS(ON)<21m??6??8(VGS = 10V)RDS(上)<24m??6??8(VGS = 4.5V)RDS(上)<2??6??8(VGS =3.6V)RDS(上)<32m??6??8(VGS = 2.5V)RDS(上)< 50??6??8(VGS = 1.8V):2000V HBM ESD等级G1 G2 s2s2d1 d21234 s1s1d1 / D2 / 8765 tssop-8top g1d1 S1 S2 G2 D2
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